| 主权项 |
1.一种基板的处理方法,包含以下步骤: 一第一流体弯液面与第二流体弯液面产生步骤,在 基板的一表面之上产生一第一流体弯液面与一第 二流体弯液面,而第一流体弯液面系实质上与第二 流体弯液面相邻;及 一第一流体弯液面与第二流体弯液面分隔步骤,藉 由一阻障部实质地分隔第一流体弯液面与第二流 体弯液面。 2.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,更包含 以下步骤: 藉由第一流体弯液面处理基板的表面;及 藉由第二流体弯液面处理基板的表面。 3.如申请专利范围第2项之基板的处理方法,其中藉 由第一流体弯液面处理基板的表面系包括蚀刻操 作、清洗操作、冲洗操作、电镀操作、与光刻操 作的其中之一。 4.如申请专利范围第2项之基板的处理方法,其中藉 由第二流体弯液面处理基板的表面系包括蚀刻操 作、清洗操作、冲洗操作、电镀操作、乾燥操作 、与光刻操作的其中之一。 5.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,其中产 生第一流体弯液面系包括经由一第一流体入口将 一第一流体施加在基板的表面,且经由一第一流体 出口从基板的表面清除第一流体。 6.如申请专利范围第5项之基板的处理方法,其中产 生第二流体弯液面系包括经由一第二流体入口将 一第二流体施加在基板的表面,且经由第一流体出 口与一第二流体出口从基板的表面清除第二流体, 并经由一第三入口施加一第三流体。 7.如申请专利范围第5项之基板的处理方法,其中第 一流体为光刻流体、蚀刻流体、电镀流体、清洗 流体、与冲洗流体的其中之一。 8.如申请专利范围第6项之基板的处理方法,其中第 二流体为光刻流体、蚀刻流体、电镀流体、清洗 流体、乾燥流体、与冲洗流体的其中之一。 9.如申请专利范围第6项之基板的处理方法,其中第 三流体系降低第二流体之表面张力。 10.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,其中 阻障部至少有局部对第一流体弯液面或第二流体 弯液面中的至少其中之一呈嫌斥性。 11.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,其中 阻障部的一局部对第一流体弯液面呈嫌斥性,且阻 障部的一局部对第一流体弯液面呈亲近性。 12.如申请专利范围第1项之基板的处理方法,其中 将阻障部界定在用以产生第一流体弯液面之一第 一组导管与用以产生第二流体弯液面之一第二组 导管之间。 13.一种基板的处理设备,包含: 一近接头,包括: 一第一组导管,界定在该近接头之内,而该第一组 导管产生一第一流体弯液面; 一第二组导管,界定在该近接头之内,而该第二组 导管产生一第二流体弯液面;及 一阻障部,界定在该第一组导管与该第二组导管之 间,而该阻障部实质地分隔第一流体弯液面与第二 流体弯液面。 14.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 该第一组导管包括: 至少一入口,施加一第一流体到晶圆的表面;及 至少一出口,从晶圆的表面至少清除第一流体。 15.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 该第二组导管包括: 至少一入口,施加一第二流体到晶圆的表面;及 至少一出口,从晶圆的表面清除第二流体; 其中从晶圆的表面清除第一流体的至少一出口亦 至少清除部份的第二流体。 16.如申请专利范围第15项之基板的处理设备,其中 该第二组导管更包括: 至少一入口,施加一第三流体到晶圆的表面。 17.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 第一流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作、 冲洗操作、电镀操作、与光刻操作的其中之一。 18.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 第二流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作、 冲洗操作、电镀操作、乾燥操作、与光刻操作的 其中之一。 19.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 第三流体系降低第二流体的表面张力。 20.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 该阻障部之至少局部对第一流体弯液面与第二流 体弯液面的至少其中之一呈嫌斥性。 21.如申请专利范围第13项之基板的处理设备,其中 该阻障部的一局部对第一流体弯液面与第二流体 弯液面的至少其中之一呈嫌斥性,且该阻障部的一 局部对第一流体弯液面与第二流体弯液面的至少 其中之一呈亲近性。 22.一种基板的处理设备,包含: 一近接头,能够产生一第一流体弯液面,且能够产 生一第二流体弯液面,该近接头包括: 至少一第一入口,界定在该近接头的一处理表面之 中而施加一第一流体到晶圆的表面; 至少一第一出口,界定在该近接头的处理表面之中 而从晶圆的表面清除第一流体与至少部份的第二 流体; 至少一第二入口,界定在该近接头的处理表面之中 而施加第二流体到晶圆的表面; 至少一第二出口,界定在该近接头的处理表面之中 而从晶圆的表面清除至少部份的第二流体;及 一阻障部,界定在该至少一第一出口与该至少一第 二出口之间,而该阻障部实质地分隔第一流体弯液 面与第二流体弯液面。 23.如申请专利范围第22项之基板的处理设备,其中 该近接头更包括: 至少一第三入口,界定在该近接头的处理表面之中 而施加一第三流体到晶圆的表面。 24.如申请专利范围第22项之基板的处理设备,其中 该第一流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作 、冲洗操作、电镀操作、与光刻操作的其中之一 。 25.如申请专利范围第22项之基板的处理设备,其中 该第二流体弯液面能够执行蚀刻操作、清洗操作 、冲洗操作、电镀操作、乾燥操作、与光刻操作 的其中之一。 26.如申请专利范围第23项之基板的处理设备,其中 该第三流体系降低该第二流体的表面张力。 27.如申请专利范围第23项之基板的处理设备,其中 该阻障部对第一流体弯液面与第二流体弯液面的 至少其中之一呈嫌斥性。 28.如申请专利范围第23项之基板的处理设备,其中 该阻障部的一局部对第一流体弯液面与第二流体 弯液面的至少其中之一呈嫌斥性,且该阻障部的一 局部对第一流体弯液面与第二流体弯液面的至少 其中之一呈亲近性。 图式简单说明: 图1A显示在SRD乾燥处理期间之晶圆之上的清洗流 体之移动。 图1B显示例示性的晶圆乾燥处理。 图2显示根据本发明之一实施例的晶圆处理系统。 图3显示根据本发明之一实施例的正在进行晶圆处 理操作之近接头。 图4A显示根据本发明之一实施例的藉由近接头所 进行之晶圆处理操作。 图4B显示根据本发明之一实施例的双晶圆表面处 理系统之中所使用的例示性的近接头之侧视图。 图5A显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头。 图5B显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头之横剖面图。 图6A显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头。 图6B显示根据本发明之一实施例的近接头之处理 表面。 图6C显示根据本发明之一实施例的多重弯液面近 接头之处理表面的特写图。 图6D显示根据本发明之一实施例的装设于本体而 一起构成多重弯液面近接头之厂务设施板。 图6E显示根据本发明之一实施例的近接头之横剖 面图。 图7显示根据本发明之一实施例的例示性之晶圆处 理操作之中的多重弯液面近接头之横剖面图。 图8A显示根据本发明之一实施例的用于处理嫌斥 性阻障部之多重弯液面近接头的横剖面图。 图8B显示根据本发明之一实施例的在亲近性晶圆 表面之上进行操作的多重弯液面近接头之特写图 。 图8C显示根据本发明之一实施例的在嫌斥性晶圆 表面之上进行操作的多重弯液面近接头之特写图 。 图9A显示根据本发明之一实施例的具有包括阻障 部之例示性入口╱出口图案的近接头。 图9B显示根据本发明之一实施例的具有包括阻障 部之例示性入口╱出口图案的额外之例示性近接 头。 图10显示根据本发明之一实施例的操作中的近接 头之侧视图,其中阻障部系分隔开第一弯液面与第 二弯液面。 图11A显示根据本发明之一实施例的使用斥水性晶 圆进行晶圆处理操作时的弯液面的分隔区。 图11B显示根据本发明之一实施例的正在处理亲水 性晶圆之近接头。 图11C显示根据本发明之一实施例的具有呈局部亲 水性之阻障部的近接头。 图12显示根据本发明之一实施例的具有阻障部之 近接头。 |
