一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法

摘要

一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及一种利用纳米胶体球刻蚀技术制备纳米金属氧化物薄膜的方法。将一定尺寸的纳米高分子胶体球分散在基片上形成纳米球模板，利用氧环境下的磁控反应溅射工艺在纳米球模板上沉积金属氧化物薄膜的同时对高分子纳米胶体球进行刻蚀，最终制备出金属氧化物纳米反阵列薄膜。采用不同尺寸的高分子纳米球以及控制溅射功率和工作气压，可制备出不同尺寸的目的物。本发明能够减少金属氧化物纳米反阵列薄膜制备过程的设备投入，缩短制备时间，降低制造成本；可用来制备各种金属氧化物纳米反阵列薄膜，可应用于高密度磁存贮、传感器的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化等方面的工业化大规模生产。

主权项

1、一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一.对用于制备金属氧化物纳米反阵列薄膜的基片进行亲水性处理；步骤二.将一定尺寸的高分子纳米胶体球分散于步骤一所得的基片表面，形成纳米球模板；步骤三.将步骤二所得的纳米球模板移入磁控溅射系统，根据所需制备的金属氧化物纳米反阵列薄膜选择相应的溅射靶材，采用相应的磁控溅射参数并在有氧气氛下进行金属氧化物薄膜的沉积；步骤四.取出沉积金属氧化物薄膜后的纳米球模板，采用常规清洗工艺剥离纳米球，即得金属氧化物纳米反阵列薄膜。