发明名称 | 绕行转移面阵电荷耦合器件CCD | ||
摘要 | 本发明公开的绕行转移面阵电荷耦合器件CCD,包括P型硅衬底、SiO<SUB>2</SUB>绝缘层,以及在SiO<SUB>2</SUB>绝缘层上排列布置的MOS感光单元铝栅电极,与相数相同个数的MOS感光单元铝栅电极组成一位,构成一个工作单元,工作单元横向周期排列,MOS感光单元铝栅电极之间为沟道,每行MOS感光单元铝栅电极之间由沟阻隔开,根据工作脉冲为几相将面阵分为几个区,每个区的尾端设置有浮置栅输出放大器,各区的浮置栅输出放大器的输出端并接。本发明将现有技术中的光敏区、转移栅区和模拟移位寄存器设计在一起,把三区的功能由一种结构分三个工作阶段分时来完成,达到了精简结构、提高分辨率和探测灵敏度、提高输出速度的目的。 | ||
申请公布号 | CN1921133A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
申请号 | CN200610104588.0 | 申请日期 | 2006.09.18 |
申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 独育飞;唐远河;刘锴;宁辉;张磊;李皓伟 |
分类号 | H01L27/148(2006.01) | 主分类号 | H01L27/148(2006.01) |
代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 罗笛 |
主权项 | 1.一种绕行转移面阵电荷耦合器件CCD,包括硅衬底、硅衬底上氧化生长的SiO2绝缘层(10),以及在SiO2绝缘层(10)上排列布置的MOS感光单元铝栅电极(3),其特征在于,所述的MOS感光单元铝栅电极(3)的排列布置为:与相数相同个数的MOS感光单元铝栅电极(3)组成一位,构成一个工作单元,每个工作单元横向周期排列,MOS感光单元铝栅电极(3)之间为沟道(8),每行的MOS感光单元铝栅电极(3)之间由沟阻(9)隔开,奇数MOS感光单元铝栅电极(3)行的行尾端与紧接的偶数行的行尾端不进行高掺杂,沟道(8)相通,偶数MOS感光单元铝栅电极(3)行的行始端与紧接的奇数行的行始端不进行高掺杂,沟道(8)相通,根据工作脉冲为几相将整个面阵按MOS感光单元铝栅电极(3)的列向平均分为几个区,每个区的尾端设置有浮置栅输出放大器,各区的浮置栅输出放大器的输出端并接。 | ||
地址 | 710048陕西省西安市金花南路5号 |