| 发明名称 | 相位变化随机访问存储装置 | ||
| 摘要 | 一种相位变化随机访问存储装置，包括连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，其中每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条。每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路距离的电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1921013A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610132286.4 | 申请日期 | 2006.08.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵佑荣;徐钟洙;金翼喆;文荣国 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01);G11C16/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 蒲迈文;黄小临 |
| 主权项 | 1.一种相位变化随机访问存储装置包括：连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条，每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路的距离的电阻。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||