| 主权项 |
1.一种奈米碳管为放电表面抛光之应用装置,其系 为一电晶放电之电路系统,而其电路系统具有: 一讯号产生器,系为一可产生方波的积体电路,并 经由一IRF 640之电晶体,控制外加之加工电压之导 通与断路; 一功率放大器,系隔离控制端与功率端,以防控制 端之电路在不确定的因素下受损; 一工作部,系具有一分别为阳极及阴极的铜合金基 板; 一限流电阻,系可控制放电加工时各多层壁奈米碳 管尖端所须电流量; 而藉由该电路系统之讯号产生器,可控制放电加工 时产生方波的波型,以及控制放电加工时奈米碳管 尖端所须的电流量,可使该工具电极达到微加工用 。 2.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管为放电表 面抛光之应用装置,其中该讯号产生器系为一型号 SG3542的积体电路。 3.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管为放电表 面抛光之应用装置,其中该功率放大器系为一型号 TLP250的功率放大器。 4.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管为放电表 面抛光之应用装置,其中该工作部之阳极铜合金基 板系为一固定欲加工之工件。 5.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管为放电表 面抛光之应用装置,其中该工作之阴极铜合金基板 之表面分布根生一个(根)以上的多层壁奈米碳管 。 图式简单说明: 图一为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置的电体晶放电之电路系统电路示意图; 图二为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置的电体晶放电之电路系统的时序图; 图三为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置其铜合金基板于未成长奈米碳管前之漏电流测 试的电压-电流曲线图; 图四为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置成长在铜合金基板上的奈米碳管之场发射特性 电压-电流曲线图; 图五为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置的各多层壁奈米碳管于电子显微镜下所显示之 示意图; 图六为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置的微放电加工处理表面之加工前电子显微镜各 区间的放大显视图; 图七为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置在放电加工后之电子显微镜各区间的放大显视 图; 图八为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置在放电加工后之电子显微镜各区间的放大显视 图; 图九为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置在放电加工后,各多层壁奈米碳管之电子显微镜 第一放大分布显示图; 图十为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用装 置在放电加工后,各多层壁奈米碳管之电子显微镜 第二放大分布显示图; 图十一为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用 装置在放电加工后,各多层壁奈米碳管之电子显微 镜第三放大分布显示图; 图十二为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用 装置,其多层壁奈米碳管在放电加工后,各多层壁 奈米碳管之微拉曼光谱图电; 图十三为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用 装置,其多层壁奈米碳管在低外加电压下,以大气 为介电质经微放电加工后之电子显微镜放大显示 图; 图十四为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用 装置,其多层壁奈米碳管在低外加电压下,以去离 子水经微放电加工后之电子显微镜显示图;以及 图十五为本发明奈米碳管为放电表面抛光之应用 装置在低外加电压下,以去离子水经微放电加工后 之电子显微镜放大显示图。 |
