| 发明名称 | 绝缘性靶材及其制造方法、导电性复合氧化膜及设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘性靶材，该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高，并具有良好的特性，用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO<SUB>3</SUB>表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材，包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN1916229A | 申请公布日期 | 2007.02.21 |
| 申请号 | CN200610111222.6 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 大桥幸司;岩下节也;木岛健;滨田泰彰 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种绝缘性靶材，用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜，其特征在于包括：A元素的氧化物；B元素的氧化物；以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||