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发明名称
奈米碳管场发射极与场发射显示器之阴极板的制造方法
摘要
一种奈米碳管场发射极的制造方法,系先提供一基底,再利用一无电电镀制程,于基底上形成数个金属奈米微粒,其中无电电镀制程系藉由控制制程时间来控制金属奈米微粒的粒径与分布密度,然后以金属奈米微粒作为触媒,利用一电浆辅助化学气相沉积制程,于基底上成长奈米碳管。由于作为触媒的金属奈米微粒之粒径与分布密度可经由控制制程时间来决定,所以可藉此控制成长出来的奈米碳管达到最佳化。
申请公布号
TW200706488
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW094126160
申请日期
2005.08.02
申请人
巴斯夫股份有限公司
发明人
杨庆荣;陈智;赵志伟;吴耀铨;谢嘉民;戴宝通
分类号
C01B31/02(2006.01)
主分类号
C01B31/02(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
德国
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