包含具至少一组实质未掺杂层超晶格之半导体元件之制作方法

摘要

一种制作半导体元件之方法，其可包含形成包括有复数个堆叠的层群组之超晶格。该超晶格的每一层群组各可包含有界定了一基底半导体部份之复数个堆叠基底半导体单层，以及其上之一能带修改层。再者，能带修改层可包含有限定于相邻基底半导体部份之一晶体晶格内的至少一非半导体单层。该超晶格的至少一层群组实质可未予掺杂。