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经营范围
发明名称
溅射源及溅射装置
摘要
本发明之课题为,在不会对有机薄膜表面造成破坏的情况下在其表面形成溅射膜。本发明之解决手段为,在配置有标靶113a之筒状侧壁103的开口配置粒子通路130a,且在其两侧配置第一、第二陷阱磁铁121a、122a,而在粒子通路130形成磁力线。欲通过粒子通路130a的溅射粒子中,只有中性粒子可直接前进,因此,在成膜对象物的有机薄膜表面可形成溅射膜。带电粒子或电子因磁力线而导致飞行方向转弯,而无法到达有机薄膜表面,所以对有机薄膜的破坏较小。
申请公布号
TW200706677
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095108460
申请日期
2006.03.13
申请人
爱发科股份有限公司
发明人
根岸敏夫;伊藤正博
分类号
C23C14/35(2006.01);C23C14/56(2006.01)
主分类号
C23C14/35(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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