用于制造半导体器件的方法和半导体器件

摘要

提供一种用于制造半导体器件的方法，其中可以稳定多孔膜的绝缘电阻，并且提供相邻互连之间引起的漏电流，使得在通过互连的信号传播中可以提供提高的可靠性。一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成多孔膜；在该多孔膜上形成具有预定图形的抗蚀剂膜；通过以所述抗蚀剂膜作为掩模刻蚀所述多孔膜，形成凹部，该凹部的底部露出所述半导体衬底的表面；形成无孔膜，以便覆盖该凹部的整个内壁和该多孔膜的表面；通过各向异性刻蚀工艺有选择地去除在该凹部的底部上形成的无孔膜和位于多孔膜上的无孔膜；形成阻挡金属膜，以便覆盖所述多孔膜和所述凹部的内壁，所述凹部在其侧壁上具有无孔膜；以及在该阻挡金属膜上形成金属膜，以填充该凹部，然后部分地去除在该凹部外面的阻挡金属膜和金属膜的部分，由此仅仅在凹部中部分地留下阻挡金属膜和金属膜，其中，在有选择地去除无孔膜中，通过采用具有等于或大于45且等于或小于100范围内的混合比的刻蚀气体进行各向异性刻蚀工艺，该混合比由以下公式表示：((气态的含“氮”化合物)+(惰性气体))/(气态的含“氟”化合物)。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成多孔膜；在所述多孔膜上形成具有预定图形的抗蚀剂膜；通过以所述抗蚀剂膜作为掩模刻蚀所述多孔膜，形成凹部，该凹部的底部露出包含半导体元件的所述半导体衬底的表面；形成无孔膜，以便覆盖所述凹部的整个内壁和所述多孔膜的表面；通过各向异性刻蚀工艺有选择地去除在所述凹部的底部上形成的一部分所述无孔膜和位于所述多孔膜上的一部分所述无孔膜；形成阻挡金属膜，以便覆盖所述多孔膜和所述凹部的内壁，所述凹部在其侧壁上具有所述无孔膜；以及在所述阻挡金属膜上形成金属膜，以填充所述凹部，然后部分地去除在所述凹部外面的所述阻挡金属膜和所述金属膜的部分，由此仅仅在所述凹部中部分地留下阻挡金属膜和金属膜，其中，在所述有选择地去除所述无孔膜中，通过采用具有等于或大于45且等于或小于100范围内的混合比的刻蚀气体进行各向异性刻蚀工艺，所述混合比由以下公式表示：((气态的含“氮”化合物)+(惰性气体))/(气态的含“氟”化合物)。