镶嵌栅极多台面式金氧半场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种带有用于源极/漏极区的掺杂侧壁的多台面式FET结构及其形成方法。在制造过程中，源极和漏极侧壁的暴露使得整个侧壁能够被均匀地掺杂，尤其是当采用与几何形状无关的掺杂方法时，如气相掺杂或等离子体掺杂。得到的器件具有高度独立并且精确控制的阈值电压及电流强度，并且，由于与采用现有技术形成的台面相比台面可以非常高，因此可以具有非常高的硅的单位面积电流。用于形成多台面式FET结构的方法提供为可以采用镶嵌栅极工艺(damascene gate process)，或者采用镶嵌替换栅极工艺(damascene replacement gate process)，而不是传统的减蚀刻方法。

主权项

1.一种多台面式场效应晶体管结构，包括：多个含硅台面区，每个台面区具有被掺杂的侧壁表面，以形成源极和漏极区；通道区，在每个所述台面区内，所述通道区电学地接触所述源极和漏极区；栅极介电部，位于每个所述台面区表面上的所述通道区顶上；以及栅极导体，在所述栅极介电部顶上。