发明名称 |
利用硅酸盐为硅源合成微米球形介孔二氧化硅的方法 |
摘要 |
本发明属于半导体材料的制备和应用技术领域,特别是涉及球形介孔二氧化硅材料的制备方法。利用阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂为混合模板,用硅酸钠代替传统正硅酸乙酯为硅源,在酸性条件下水解缩合而成。本发明的方法不仅操作简单,成本较低,颗粒分散性好。 |
申请公布号 |
CN1299984C |
申请公布日期 |
2007.02.14 |
申请号 |
CN200410009271.X |
申请日期 |
2004.06.28 |
申请人 |
中国科学院理化技术研究所 |
发明人 |
唐芳琼;庞雪蕾 |
分类号 |
C01B33/18(2006.01);C01B33/187(2006.01) |
主分类号 |
C01B33/18(2006.01) |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
李柏 |
主权项 |
1.一种利用硅酸盐为硅源合成微米球形介孔二氧化硅的方法,其特征是:所述的方法包括以下步骤:(1).配制酸的溶液,酸的浓度为0.01~5摩尔/升;(2).配制表面活性剂的溶液,在步骤(1)酸的溶液中加入十六烷基三甲基卤化铵和非离子表面活性剂,使得混合溶解后的溶液中十六烷基三甲基卤化铵的浓度为0.001~1摩尔/升,非离子表面活性剂的浓度为0.001~5摩尔/升;(3).将硅酸盐加入到步骤(2)得到的混合溶液中,使混合后的溶液中硅酸盐的浓度为0.01~5摩尔/升,搅拌,静置,得有沉淀的溶液,离心分离、洗涤、干燥,在500~800℃焙烧后,得到微米球形介孔二氧化硅;所述的微米球形介孔二氧化硅的粒径为1~5μm,比表面积为750~1400m2/g,介孔尺寸为2.0~5.0nm。 |
地址 |
100101北京市朝阳区大屯路甲3号 |