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发明名称 Method for forming STI type Isolation layer of semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100675879(B1) 申请公布日期 2007.02.05
申请号 KR20000052173 申请日期 2000.09.04
申请人 发明人
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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