矽微麦克风之振膜晶片及其制造方法

摘要

本发明主要提供制造背驻极电容式矽微麦克风中感应声能变化之振膜晶片的方法，首先在基板上以可溶于预定蚀刻液之被溶蚀材料定义出脱离层后，分别依序向上定义出分隔块层及振膜层，接着再在振膜层上以导体材料蒸镀出作为晶种的种晶膜后，以高分子材料定义出对应地遮覆振膜层之感应形变区域部分，并使种晶膜对应环壁区域部分裸露的牺牲层，然后自环壁区域向上电镀增厚而形成环围牺牲层的撑固层而形成环壁后，蚀刻掉牺牲层即制得振膜晶片，最后再以蚀刻液溶蚀脱离层，即可以无切割之制程取得振膜晶片，从而提升整体晶片制造的良率。