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经营范围
发明名称
功率半导体装置
摘要
一种功率半导体装置,其包含一主动区,该主动区包括多个闸极结构,各者均具有一第一厚度之一闸绝缘体;及一终端区,该终端包括环绕该主动区并具有包括比该第一厚度厚的一底部绝缘体之一凹槽之一场绝缘体。
申请公布号
TW200705573
申请公布日期
2007.02.01
申请号
TW095120828
申请日期
2006.06.12
申请人
国际整流器公司
发明人
布克;格林 西蒙
分类号
H01L21/336(2006.01)
主分类号
H01L21/336(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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