| 主权项 |
1.一种半导体模制室,包含: 一顶部模穴,具有一模制表面,其具有小于1.2RA(微 米平均粗糙度)的表面粗糙度;及 一底部模穴,形成为支撑一半导体晶粒,因而使该 顶部与底部模穴将该半导体晶粒封闭在该模制室 内。 2.如申请专利范围第1项所述的半导体模制室,其中 该模制表面具有大约等于或小于0.5RA的表面粗糙 度。 3.如申请专利范围第1项所述的半导体模制室,其中 该模制表面具有大约等于或小于0.1RA的表面粗糙 度。 4.如申请专利范围第1项所述的半导体模制室,其中 该顶部模穴的该模制表面含有表面缺陷部份,该模 制室另外包含: 一表面涂覆层,形成在该顶部模穴的该模制表面上 ,其将该表面缺陷部份平滑化。 5.一种半导体模制系统,包含: 一半导体晶粒,具有一顶部表面及一底部表面,以 及在该顶部表面上的至少一可变形导电触点; 一顶部模穴,具有一模制表面,其具有大约等于或 小于1.2RA(微米平均粗糙度)的表面粗糙度,其中该 模制表面与该可变形导电触点接触;及 一底部模穴,其支撑该半导体晶粒。 6.如申请专利范围第5项所述的半导体模制系统,其 中该模制表面具有大约等于或小于0.5RA的表面粗 糙度。 7.如申请专利范围第5项所述的半导体模制系统,其 中该模制表面具有大约等于或小于0.1RA的表面粗 糙度。 8.如申请专利范围第5项所述的半导体模制系统,其 中该顶部模穴的该模制表面含有表面缺陷部份,该 模制系统另外包含: 一表面涂覆层,形成在该顶部模穴的该模制表面上 ,其将该表面缺陷部份平滑化。 9.如申请专利范围第5项所述的半导体模制系统,其 中该可变形导电触点为一软焊球。 10.一种半导体晶粒的封装方法,包含: 提供具有一顶部模制表面的一顶部模穴,其中该顶 部模制表面具有小于1.2RA(微米平均粗糙度)的表面 粗糙度; 提供具有一底部模制表面的一底部模穴,其中该顶 部与底部模穴形成一模制室; 将半导体晶粒放置在该模制室内,其中该半导体晶 粒在其顶部表面上具有一或多个可变形导电触点; 将该顶部模穴降低至该可变形导电触点上,使得该 顶部模制表面使该触点变形,并且在该半导体晶粒 的该顶部表面与该顶部模制表面之间产生一净空 空间;及 将模制化合物喷射至该模制室内,使得该模制化合 物以没有任何毛刺形成在该可变形导电触点的每 一个的顶部表面上的方式围绕该可变形导电触点, 且充填该半导体晶粒的该顶部表面与该顶部模制 表面之间的该净空空间。 11.如申请专利范围第10项所述的半导体晶粒的封 装方法,其中该模制化合物被喷射至该模制室内成 为使得该模制化合物以1.16kg/mm2(公斤/平方毫米)流 动通过该模制室。 12.如申请专利范围第10项所述的半导体晶粒的封 装方法,其中该可变形导电触点为软焊球。 13.如申请专利范围第10项所述的半导体晶粒的封 装方法,其中被封装的半导体晶粒在喷射操作之后 形成,该方法另外包含: 将一次级装置(secondary device)附着于被封装的半导 体晶粒的顶部表面,使得该次级装置的电触点与该 可变形导电触点的每一个的顶部表面接触,其中该 附着操作为喷射操作之后的下一操作。 图式简单说明: 图1显示根据目前的制造技术建构的堆叠模制封装 的剖面图。 图2A显示射出成形制程的等角图。 图2B显示模制材料如何流入形成在模穴表面与软 焊突出物之间的间隙内的放大图。 图3A显示被定位在模制室内的半导体晶粒的侧视 剖面图。 图3B显示封闭在模制室内的半导体晶粒的侧视剖 面图。 图3C显示图3B的导电触点之一放大图。 图4显示在图3A及3B所示的模制制程之后形成的母 半导体封装的立体图。 |
