| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren in integrierten Halbleiterschaltungen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE50111622(D1) |
申请公布日期 |
2007.01.25 |
| 申请号 |
DE20015011622 |
申请日期 |
2001.08.31 |
| 申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
ANGERMANN, WOLFGANG;BAENISCH, ANDREAS |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L29/41;H01L27/088;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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