| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备: (a)在底材层上形成反射防止膜之步骤;以及 (b)在前述反射防止膜上形成成为图案化对象之正 型光阻之步骤; 关于透过前述光阻所入射之曝光用光之前述反射 防止膜和前述光阻间之界面上之反射系数,还具备 : (i)设定使得前述反射系数之绝对値成为第1値以下 之前述反射防止膜和前述底材层中之至少某一边 之各种因素范围之步骤;以及 (ii)在前述步骤(i)所设定之范围内,设定使得前述 反射系数之相位绝对値成为第2値以上之前述各种 因素范围之步骤;其中 前述步骤(ii)中之前述第2値系大约45度,前述步骤(i )中之前述第1値系大约0.02。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中,在表示前述反射防止膜之复折射率为-i( 、系实数、i系虚数单位)之状态下,于前述步 骤(ii),设定前述反射防止膜之膜厚越薄、则前述 变得越大。 3.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备: (a)在底材层上形成反射防止膜之步骤;以及 (b)在前述反射防止膜上形成成为图案化对象之负 型光阻之步骤; 关于透过前述光阻所入射之曝光用光之前述反射 防止膜和前述光阻间之界面上之反射系数,还具备 : (i)设定使得前述反射系数之绝对値成为第1値以下 之前述反射防止膜和前述底材层中之至少某一边 之各种因素范围之步骤;以及 (ii)在前述步骤(i)所设定之范围内,设定使得前述 反射系数之相位绝对値成为第2値以上之前述各种 因素范围之步骤;其中 前述步骤(ii)中之前述第2値系大约45度,前述步骤(i )中之前述第1値系大约0.02。 图式简单说明: 图1系显示在本发明之基本说明所使用之多层膜构 造之剖面图。 图2系显示界面反射系数之轨迹之图形。 图3系显示界面反射系数之绝对値之图形。 图4系显示界面反射系数之相位之图形。 图5系显示光阻中之光量分布之图形。 图6系显示光阻中之光量分布之图形。 图7系显示光阻中之光量分布之图形。 图8系显示光阻中之光量分布之图形。 图9系显示光阻中之光量分布之图形。 图10系显示光阻中之光量分布之图形。 图11系显示本发明之实施形态1之界面反射系数之 相位之图形。 图12系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图13系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图14系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图15系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图16系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图17系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图18系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图19系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图20系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图21系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图22系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图23系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图24系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图25系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图26系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图27系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图28系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图29系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图30系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图31系显示本发明之实施形态2之界面反射系数之 轨迹之图形。 图32系显示在本发明之实施形态3所使用之多层膜 构造之剖面图。 图33系显示本发明之实施形态3之界面反射系数之 轨迹之图形。 图34系显示本发明之实施形态3之界面反射系数之 绝对値之图形。 图35系显示本发明之实施形态3之界面反射系数之 相位之图形。 图36系显示参考例之界面反射系数之轨迹之图形 。 图37系显示参考例之界面反射系数之绝对値之图 形。 图38系显示参考例之界面反射系数之相位之图形 。 |
