| 主权项 |
1.一种在一基板上形成一氮化矽层的方法,至少包 含: 将一基板置入一制程腔室中,该基板具有一表面, 该表面具有多个凸起的电晶体闸极和多个介于该 等电晶体闸极之间的低的区域; 加热该基板至至少500℃的制程温度; 维持该腔室内的压力在至少50托耳的制程压力下; 注入氨气至该腔室内; 注入一含矽气体至该腔室内,该氨气对该含矽气体 的分压比系在一选择的制程比例下,该含矽气体和 该氨气彼此反应而在该表面上形成一氮化矽层,若 该表面具有一介于电晶体闸极之间且高度对宽度 比至少1.0、宽度小于0.15微米之低的区域,以及一 至少1微米乘1微米的完全平坦区域时,该制程比例 系被选择成足够高,以便该腔室内的该基板处于该 制程温度下并且该腔室内的压力处于该制程压力 下时,该层在该平坦区域上形成的速率不会比在该 低的区域的底部上形成的速率快过25%;以及 将该基板从该腔室移出。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之表 面具有一高度对宽度比至少1.0且宽度小于0.15微米 之低的区域,以及一至少1微米平方之实质平坦区 域,该层在该平坦区域上形成的速率不会比在该低 的区域的底部上形成的速率快过25%。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述之层 以一不会快超过25%的速率形成在该平坦区域的一 区域上,其与介于该平坦区域的该区域和该低的区 域之间最接近的电晶体闸极相距至少1微米。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之制 程温度系介于600℃和800℃之间。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之制 程压力系介于50托耳和350托耳之间。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之含 矽气体系矽烷(SiH4)、矽乙烷(Si2H6)、二氯矽烷(SiH2 Cl2)、氯化矽乙烷(Si2Cl6)、和双(三级丁胺基)矽烷( BTBAS)中的至少一个。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之表 面具有一高度对宽度比至少1.0且宽度小于0.15微米 之低的区域,以及一至少25微米平方之实质平坦区 域,该层在该平坦区域上形成的速率不会比在该低 的区域的底部上形成的速率快过25%。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之制 程温度系介于600℃和800℃之间。 9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之制 程压力系介于50托耳和350托耳之间。 10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之 制程比例系至少100。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之 制程比例系介于200和350之间。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之 制程温度系介于600℃和800℃之间。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之 制程压力系介于50托耳和350托耳之间。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之 压力系约240托耳。 15.一种在一基板上形成一氮化矽层的方法,至少包 含: 将一基板置入一制程腔室中,该基板具有一表面, 且该表面具有多个凸起的电晶体闸极和多个介于 该等电晶体闸极之间的低的区域; 加热该基板至一介于600℃和800℃之间的制程温度; 维持该腔室内的压力在一介于50托耳和350托耳之 间的制程压力下; 注入氨气至该腔室内; 注入一含矽气体至该腔室内,该氨气对该含矽气体 的分压比系一至少100之选择的制程比例,该含矽气 体和该氨气彼此反应而在该表面上形成一氮化矽 层;以及 将该基板从该腔室移出。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 表面具有一高度对宽度比至少1.0且宽度小于0.15微 米之低的区域,以及一至少1微米平方之实质平坦 区域,该层在该平坦区域上形成的速率不会比在该 低的区域的底部上形成的速率快超过25%。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 制程比例系介于200和350之间。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之 制程比例系介于200和350之间。 19.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之 含矽气体是矽烷。 图式简单说明: 第1图为一可用来执行根据本发明之方法的制程腔 室剖面侧视图; 第2图为一具有根据本发明之方法形成之氮化矽层 在其上的晶圆基板剖面侧视图; 第3图显示根据本发明实施例之用来形成一氮化矽 层之步骤的流程图;以及 第4图为一说明在四个组内十六个不同晶圆基板之 厚度变异对氨气和矽烷气体之制程分压比的图表, 该等组在不同的温度下被处理,并且各组在四种不 同的氨气和矽烷气体分压比下被处理。 |
