| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底,其至少可区分为一记忆胞区及一周边 电路区; 于该记忆胞区的该基底上形成多数个第一记忆胞, 且相邻二个第一记忆胞之间具有一间隙; 于该记忆胞区的该基底上形成一第二复合层,其包 括一第二电荷储存层; 于该周边电路区的该基底上形成一闸介电层; 于该第二复合层及该闸介电层上形成一导体层,该 导体层覆盖该些第一记忆胞并填满该些间隙; 于该导体层上形成一介电层; 进行一移除步骤,以移除该周边电路区中之部分该 介电层,并移除该记忆胞区中之该介电层及部分该 导体层,而形成填满该些间隙的多数个第二闸极, 该些第二闸极与该第二复合层形成多数个第二记 忆胞,且该些第二记忆胞与该些第一记忆胞构成一 第一记忆胞行; 图案化该周边电路区的该介电层与该导体层,以于 该周边电路区形成多数个闸极结构;以及 于该第一记忆胞行两侧之该基底中各形成一源极/ 汲极区。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该移除步骤包括以该些第一记忆胞 为终止层进行一第一化学机械研磨制程。 3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该移除步骤包括: 进行一第二化学机械研磨制程,以平坦化该介电层 ;以及 以该些第一记忆胞为终止层,进行一蚀刻制程。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中在该记忆胞区的该基底上形成该第 二复合层以及于该周边电路区的该基底上形成该 闸介电层的方法,包括: 于该基底上形成该第二复合层; 形成一图案化光阻层,其覆盖该记忆胞区中的该第 二复合层; 以该图案化光阻层为罩幕,移除该周边电路区中的 该第二复合层; 于该周边电路区的该基底上形成该闸介电层;以及 移除该图案化光阻层。 5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,更包括于形成该第二复合层之前,于该 些第一记忆胞之侧壁分别形成一间隙壁。 6.如申请专利范围第5项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,更包括于该些第一记忆胞形成之后,于 该些间隙璧形成之前,于各该第一记忆胞侧壁上形 成一衬氧化层。 7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该衬氧化层之形成方法包括进行一 快速热回火制程。 8.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于该基底中形成该源极/汲极区之 方法包括离子植入法。 9.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,更包括形成一第二记忆胞行。 10.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该第一记忆胞行与该第二记忆胞行 之间的距离系大于相邻二个第一记忆胞之间的距 离。 11.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该源极/汲极区之一系形成于该第 一记忆胞行与该第二记忆胞行之间的该基底中。 12.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,在该第一记忆胞行中,最外侧的二个第 一记忆胞的宽度系大于其它该些第一记忆胞的宽 度。 13.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该介电层的厚度包括3000埃左右。 14.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中各该第一记忆胞从该基底起由下而 上包括一第一复合层、一第一闸极与一顶盖层,其 中该第一复合层包括一第一电荷储存层。 15.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中各该第一闸极的材质包括掺杂多 晶矽或多晶矽化金属。 16.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第一电荷储存层与该第二电荷 储存层的材质包括氮化矽或掺杂多晶矽。 17.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该顶盖层包括氧化矽层、氮化矽 层或是由氧化矽层与氮化矽层所组成的堆叠层。 18.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第一复合层与该第二复合层各 自更包括一底介电层及一顶介电层。 19.如申请专利范围第18项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该底介电层及该顶介电层的材质 包括氧化矽。 20.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中图案化该介电层的方法,包括非等 向性蚀刻法。 图式简单说明: 图1A~图1G系依照本发明一实施例所绘示之非挥发 性记忆体的制造流程剖面图。 |
