发明名称 低电压工作动态随机访问存储器电路
摘要 在动态随机访问存储器中减少漏电流和加速访问的电路和方法得以描述。许多有益效果得以描述。使用互补型漏极晶体管的高效感测放大器得以描述,该互补型漏极晶体管与感测或者恢复信号相连,被超过V<SUB>SS</SUB>和V<SUB>DD</SUB>之间的电压范围的栅极电压驱动。漏极晶体管在备用模式下自逆偏离。一种在非互补型感测放大器中通过放大感测和恢复栅极电压减少泄漏的方法得以描述。另一方面是一种使用叠置拉降晶体管和多步控制电路的新的负字线方法。另外在释放控制信号PX时防止电压源间的有害电流的电平转换电路得以描述。
申请公布号 CN1898744A 申请公布日期 2007.01.17
申请号 CN200480026653.1 申请日期 2004.09.03
申请人 兹摩斯科技股份有限公司 发明人 邱源城
分类号 G11C7/00(2006.01);G11C11/24(2006.01) 主分类号 G11C7/00(2006.01)
代理机构 中国商标专利事务所有限公司 代理人 许天易
主权项 1.一种动态存储器,包括:多个具有许多单元状态的存储单元;具有与所述存储器单元相连的位线结构的存储核心;位线感测放大器,被配置用于执行所述多个存储单元的感测,和或恢复;和所述感测放大器中的至少一个锁存,该锁存与互补型感测或者恢复漏极晶体管相连。
地址 美国加利福尼亚州