非挥发性记忆体的制造方法及其阵列

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，系先于基底上依序形成第一介电层与虚拟闸极层。然后，定义虚拟闸极层以形成多个虚拟闸极。接着，以虚拟闸极为罩幕，于基底中形成一掺杂区，且掺杂区延伸至虚拟闸极下方的部分基底中。之后，于相邻二虚拟闸极之间的第一介电层上形成第二介电层。继之，移除虚拟闸极层。接着，于第二介电层侧壁形成一间隙壁，且间隙壁系形成于掺杂区上方。随后，于基底上方形成一导体层，以覆盖间隙壁、第一介电层与第二介电层。