| 摘要 |
本发明揭示一种移位暂存器电路，其每一级具有：一连接至一前一级之输出端的第一输入端(Rn–1)；一用于将一第一时脉电力线电压(Pn)耦接至该级之输出端(Rn)的驱动电晶体(Tdrive)；一用于补偿该驱动电晶体之一寄生电容之效应的补偿电容器(C1)；一连接于该驱动电晶体之闸极与该级之输出端(Rn)之间的第一自举(bootstrap)电容器(C2)；及一用于为该第一自举电容器(C2)充电且由该第一输入端(Rn–1)控制的输入电晶体(Tin1)。每一级具有一输入区段(10)，其耦接至先于该级两级(或两级以上)之级的输出端(Rn–2)，该输入区段具有一连接于该输入电晶体(Tin1)之闸极与该第一输入端(Rn–1)之间的第二自举电容器(C3)。使用两个自举电容器可使该电路对于临限电压位准或变化之敏感性较不敏感，并且实现采用非晶矽技术之实施方式。 |
