| 发明名称 |
用于制造具有蚀刻停止层的绝缘层上覆矽晶圆之方法 |
| 摘要 |
本发明揭露绝缘层上覆矽(SOI)晶圆的实施例，其系具有覆在埋设的氧化物层上之蚀刻停止层，以及其制造方法的实施例。该蚀刻停止层可包含氮化矽、掺杂氮的二氧化矽或者氧氮化矽，以及这些材料的某些组合。其他实施例则被说明与构成申请专利范围。 |
| 申请公布号 |
TW200703503 |
申请公布日期 |
2007.01.16 |
| 申请号 |
TW094139288 |
申请日期 |
2005.11.09 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
彼得 托钦斯基;马丁 吉尔斯;麦可 马史威尼;穆罕默德 沙欣;爱尔文 亚伯拉克 |
| 分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/469(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
