RETRAIT DU BORD DE LA RONDELLE DE CENTRAGE PAR GRAVURE PAR IMMERSION

摘要

Un procédé permettant d'exécuter une gravure par immersion d'une plaquette de semi-conducteur est proposé. Le procédé comporte la fourniture d'une couche de résist sur une surface de la plaquette de semi-conducteur. Ensuite, un procédé de retrait du bord de la rondelle de centrage fait tourner par centrifugation la plaquette à une vitesse supérieure à 1 000 tours par minute et distribue du solvant par le biais d'une buse tandis que la plaquette tourne par centrifugation. Ensuite, la couche de résist est exposée au cours d'un système d'exposition de gravure par immersion.