SUBSTRAT, NOTAMMENT EN CARBURE DE SILICIUM, RECOUVERT PAR UNE COUCHE MINCE DE NITRURE DE SILICIUM STOECHIOMETRIQUE, POUR LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES, ET PROCEDE D'OBTENTION D'UNE TELLE COUCHE

摘要

Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium steochiométrique, pour la fabrication de composants électroniques, et procédé d'obtention d'une telle couche.Pour obtenir la couche sur le substrat (1) en présence d'au moins un gaz azoté, le substrat est recouvert d'une couche (2) d'un matériau qui est perméable à ce gaz et la couche de nitrure de silicium est apte à se former à l'interface entre le substrat et la couche du matériau. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.