| 主权项 |
1.一种用以于一基材的一沉浸制程中提供一沉浸 表面一均匀电流密度的方法,其至少包含步骤: 决定于该沉浸制程中,该基材的一沉浸部份的一时 变面积;及 于该沉浸制程中,施加一时变电流给该基材,其中 该时变电流系成比例于该时变面积并被架构以提 供一恒定电流密度至该基材的该沉浸部份。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之决 定该时变面积的步骤包含: 当该基材的区开始沉浸时,增量计算该基材的区面 积;及 总和增量计算之区面积,以决定对于一特定时间之 一总沉浸面积。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之施 加该时变电流的步骤包含供给一电流至该基材,该 供给电流系等于该定电流密度乘以该基材的该沉 浸部份之该时变面积。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之决 定该时变面积的步骤系共相关至一电镀系统之一 盖件的一时变枢转位置,其中该盖件系于该沉浸制 程中,被架构以支撑该基材。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之时 变枢转位置系用以决定该时变电流。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之时 变电流系随着该沉浸部份的该时变面积的增加而 成比例增力。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之施 加该时变电流的步骤包含选择地控制与该基材电 气相通的可变输出电源,该电源的选择控制系为一 架构以执行一制程配方(processing recipe)之系统控制 器所执行。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之时 变面积系由于该沉浸制程中架构以支撑该基材的 一盖件的一感应枢转位置所决定。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之决 定该时变面积的步骤包含: 感应于该沉浸制程中支撑该基材的一盖件的一枢 转位置;及 由该感应枢转位置计算该基材的该沉浸面积。 10.一种于一沉浸制程中维持一具有一定电流密度 之负载偏压的方法,该方法至少包含步骤: (a)感应于该沉浸制程中支撑一基材的一盖件的一 枢转位置; (b)由该感应枢转位置决定一现行总沉浸面积; (c)决定一将产生该定电流密度的负载偏压电流; (d)调整供给至该基材的一电流,以对应于该负载偏 压电流;及 于该沉浸制程中,于预定时间间隔中,重覆步骤(a) 至(d)。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之 决定该现行总沉浸面积的步骤包含: 计算该基材的一最新沉浸区的一面积;及 将该最新沉浸区的该面积加至一先前计算之总沉 浸面积,以决定一现行总沉浸面积。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之 计算该最新沉浸区面积的步骤包含以下述公式计 算出区面积: 其中,j<n,及其中该区面积以下式代表: 其中j>n。 13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之 决定产生该定电流密度的该负载偏压电流的步骤 包含将该现行总沉浸面积乘以该定电流密度。 14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之 调整供给至该基材的该电流的步骤包含随着于该 基材的该现行总沉浸面积的增加,而成比例的增加 供给至该基材的该电流。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 调整供给至该基材的该电流的步骤包含以下述公 式计算之: 其中J0代表该定电流密度及其中 代表于启始取样时间间隔之该现行总沉浸面积。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之 取样时间间隔可以增量,以代表一时变总沉浸面积 。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中于一第 二取样时间间隔之一第二现行总沉浸面积系以下 式代表: 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中于一第 三取样时间间隔之一第三现行总沉浸面积系以下 式代表: 19.一种在一基材表面的一沉浸部份维持一目标电 流密度的方法,至少包含步骤: 当一沉浸制程开始时,施加一启始电流至该基材表 面,该启始电流系被计算以在该基材表面上产生该 目标电流密度; 于一沉积持续时间内,枢转沉浸该基材表面; 决定该基材的一时变沉浸表面积;及 施加一时变电流至该基材的该沉浸表面积,其中该 时变电流系成比例于该沉浸表面积中之时变变化, 并被计算以在该基材表面的该沉浸部份,维持该目 标电流密度。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 决定该时变沉浸表面积的步骤包含: 计算一最新沉浸区的一面积;及 将该最新沉浸区的该面积加入至一先前总沉浸表 面积,以产生一时变沉浸表面积。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之 计算该最新沉浸区面积的步骤包含以下述公式计 算之: 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中上述之 Rj及Rj+1系由于该沉浸制程中,架构以支撑该基材的 一盖件的一枢转位置加以决定。 23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 决定Rj及Rj+1的步骤更包含以一感应装置以感应该 盖件的该枢转位置及由所感应的位置计算Rj及Rj+1 。 24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中上述之 Rj及Rj+1系由该沉浸制程的一经历时间所决定。 25.如申请专利范围第23项所述之方法,更包含步骤: 决定一沉浸制程的一总经历时间;及 由一现行沉浸时间的相对于该沉浸制程的该总经 历时间的比例,决定Rj及Rj+1。 26.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 施加该时变电流至该基材的该沉浸表面积的步骤 更包含使用一回授环形控制系统,以维持在该基材 表面之该沉浸部份的该目标电流密度。 27.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 施加该时变电流至该基材的该沉浸表面积的步骤 更包含随着该基材的该时变沉浸表面积,而成比例 增加该时变电流。 28.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 施加该时变电流的步骤更包含于该沉浸制程中,随 着支撑该基材的一盖件的枢转动作之方式,而成比 例增加该时变电流。 29.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 施加步骤系为与一控制器电气相通之一电源所进 行,其中该控制器系被架构以依据来自半导体制程 配方之预定计时顺序,而调节该电源的输出。 30.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之 施加步骤系为一与一控制器电气相通之电源所进 行,其中该控制器系被架构以依据于该沉浸制程中 ,支撑该基材的一盖件的一感应位置,而调节该电 源的输出。 31.一种电镀金属至基材的设备,至少包含: 一电解质容器; 一盖件,枢转安装接近该电解质容器,该盖件系架 构以选择地支撑该基材以与该电解质容器中之电 解质作流体接触; 一电源,与该盖件作电气相通并架构以供给一电偏 压至该基材;及 一控制器,与该电源作电气相通,其中该控制器被 架构以: 于一沉浸制程中,决定该基材的一沉浸部份的一时 变面积;及 于该沉浸制程中,供给一时变电流至该基材,该时 变电流系成比例于时变面积,使得整个该基材的该 沉浸部份维持定电流密度。 32.如申请专利范围第31项所述之设备,其中上述之 设备包含一电化学电镀槽,架构以电镀一金属至一 半导体基材。 33.如申请专利范围第31项所述之设备,其中上述之 控制器包含一微处理机型控制器,被架构以依据一 半导体制程配方而产生用于一电镀槽的控制信号 。 34.如申请专利范围第31项所述之设备,更包含一位 置感应器与该控制器作电气相通,该位置感应器系 架构以感应该盖件的一枢转位置。 35.如申请专利范围第34项所述之设备,其中上述之 控制器被架构以:由该位置感应器接收一指示该盖 件之该枢转位置的信号;由该枢转位置,决定该基 材的该沉浸部份的该时变面积;并依据该盖件的位 置,供给一时变电流,使得于该基材的该沉浸部份 上维持一定电流密度。 图式简单说明: 第1图例示本发明之基材沉浸处理中之电镀槽; 第2图为于本发明之沉浸处理时之例示基材表面; 第3图为用于本发明之基材沉浸处理的例示电源制 程配方;及 第4图为本发明之例示制程的流程图。 |
