| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有高可靠性和优异散热性的半导体器件，以及以低成本制造该半导体器件的方法。通过含焊料碳构件结合半导体元件与作为散热构件的壳体，该含焊料碳构件具有如下结构：在含焊料碳烧结体的表面上形成外焊料层，该含焊料碳烧结体通过使用焊料浸渍碳烧结体而形成。通过将所述烧结体用于半导体元件与壳体之间的连接，可消除半导体元件发热过程中的热应力，同时保证高散热性。通过使用廉价焊料浸渍烧结体，可紧密结合烧结体与外焊料层。通过外焊料层，可紧密结合半导体元件与壳体。因此，可以低成本实现具有高可靠性和优异散热性的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1893038A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610005485.9 | 申请日期 | 2006.01.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 玉川道昭;南泽正荣 |
| 分类号 | H01L23/34(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L23/34(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体元件；和散热构件，该散热构件散发由该半导体元件所产生的热，其中：该半导体元件与该散热构件通过含金属碳构件结合，该含金属碳构件通过使用包含金属的碳材料形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||