| 发明名称 | 闪存器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种闪存器件的制造方法，其中在形成栅极线之后，在所述栅极线之间形成高度至少与浮置栅极高度相同的HDP氧化物膜。使用氮化物膜在余下的空间中形成间隙壁。因此，可以降低浮置栅极之间的电容。在进行离子注入工艺之后，可以除去间隙壁。因此可以保证器件的接触容限。 | ||
| 申请公布号 | CN1892999A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610091782.X | 申请日期 | 2006.06.12 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 洪韺玉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种闪存器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：在半导体衬底上形成具有侧壁的栅极线；在包括所述栅极线的所述半导体衬底上方形成缓冲氧化物膜；在所述栅极线之间的单元区域中形成具有预定高度的HDP氧化物膜；和在所述栅极线的暴露侧壁上形成氮化物膜间隙壁。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||