发明名称 |
用于执行考虑了近邻影响的基于模型的光学邻近校正的设备、方法和计算机程序产品 |
摘要 |
基于模型的光学邻近校正(MOPC)偏置技术可被用于优化掩模图案。然而,传统的MOPC技术没有考虑掩模上的邻近特征的影响。这种影响可以按照下面的方式加以考虑:首先,根据目标图案生成预测图案并且选择多个评估点,其中可以在所述评估点处确定偏置。然后,为每个评估点生成一组多变量等式,每个等式代表掩模上的邻近特征的影响。求解所述等式以便确定每一评估点处的偏置量,从而所述掩模得到优化。可以重复这个处理过程,直到所述掩模图案被进一步优化。 |
申请公布号 |
CN1892443A |
申请公布日期 |
2007.01.10 |
申请号 |
CN200610121398.X |
申请日期 |
2006.04.30 |
申请人 |
ASML蒙片工具有限公司 |
发明人 |
M·F·A·尤尔林斯;T·莱迪;U·霍勒巴赫 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;陈景峻 |
主权项 |
1、一种用于对将被成像到衬底表面上的掩模图案进行优化的方法,该方法包括以下步骤:(a)生成将被成像的目标图案;(b)根据将被形成在所述衬底表面上的目标图案来仿真预测图案;(c)分割该目标图案的特征并且选择至少两个部分以用于评估;(d)通过考虑所述至少两个部分当中的至少一个其他部分的影响来计算所述至少两个部分当中的每一部分所需的偏置量;以及(e)根据步骤(d)的结果来修改所述目标图案,以便优化所述掩模图案。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |