半导体器件的制造方法

摘要

提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：在半导体衬底主面上形成感光性膜的工序；把在上述感光性膜形成于其主面的半导体衬底搬送到曝光装置里的工序，在上述曝光装置中，上述感光性膜位于搭载在掩模台上的掩模下方，在上述掩模上形成用于分别形成检查标记和器件图形的掩模上检查标记和掩模上器件图形；对上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记潜像的工序；加热至少检查标记潜像形成的区域的上述感光性膜，使检查标记潜像浮现的工序；测量浮现的检查标记潜像的工序；根据上述测量结果，变更选择性曝光时的上述曝光装置设定值，使曝光条件成为设计值的工序；按照上述变更后的设定值，对上述感光性膜，曝光掩模上器件图形，在该感光性膜上形成器件图形潜像的工序；加热整个上述感光性膜的工序；以及使上述感光性膜显影的工序。