| 发明名称 | 硅半导体晶片及制造多个半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及直径大于或等于200毫米、正面抛光、背面抛光、以正面切片表面网格尺寸为26毫米×8毫米为基准的最大局部平整度值SFQR<SUB>max</SUB>低于或等于0.13微米的硅半导体晶片，其中以大小为10毫米×10毫米的滑动分区为基准，正面与理想平面的最大局部高度偏差P/V(10×10)<SUB>max</SUB>低于或等于70纳米。本发明还涉及一种供应含有研磨剂或胶体的抛光剂，总是于转动、相互平行、粘结抛光布的下抛光盘与上抛光盘之间实施同时双面抛光以制造多个硅半导体晶片的方法，其除去至少为2微米的硅，其中这些半导体晶片的预定部分至少是利用较低抛光压力部分抛光，这些半导体晶片的另一部分则是利用较高抛光压力抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN1294629C | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN02155717.9 | 申请日期 | 2002.12.06 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 吉多·文斯基;托马斯·阿尔特曼;安东·胡贝尔;亚历山大·海尔迈尔 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B1/00(2006.01);B24B7/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1.一种硅半导体晶片，其直径大于或等于200毫米、正面抛光、背面抛光、以正面切片表面网格尺寸为26毫米×8毫米为基准的最大局部平整度值SFQRmax低于或等于0.13微米，其中以大小为10毫米×10毫米的滑动分区为基准，正面与理想平面的最大局部高度偏差P/V(10×10)max是低于或等于70纳米。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||