Verfahren zum Programmieren von Multi-Bit-Charge-Trapping-Speicherzellenanordnungen

摘要

Eine Programmierspannung wird an Source und Drain angelegt, um eine Injektion heißer Löcher in eine Charge-Trapping-Speicherschicht an einem Kanalende einer Speicherzelle zu generieren. Das unerwünschte Programmieren benachbarter Speicherzellen wird durch Anlegen einer Sperrspannung (VINH) eines Zwischenwertes an die benachbarte Bitleitung vermieden. Das geschieht durch ein Vorladen aller Bitleitungen (BLn) auf die Sperrspannung, entweder durch aufeinander folgendes Anlegen der Sperrspannung an jede Bitleitung einzeln oder durch Anlegen der höheren (VPRGH) und der niedrigeren Programmierspannung (VPRGN) an jeweils die Hälfte der Bitleitungen und anschließendes Kurzschließen aller Bitleitungen.