防止击穿的半导体元件及其制造方法

摘要

一种防止击穿的半导体元件，此防止击穿的半导体元件包括一基底、多数个沟渠式元件以及至少一隔离区域。沟渠式元件位于基底中，其中沟渠式元件包括一源极／汲极区，此源极／汲极区配置于沟渠式元件之底部。隔离区域配置于基底中，且位于每一个沟渠式元件之源极／汲极区之间。