用以制造半导体装置之化学气相沈积设备的喷头

摘要

一种用以制造半导体装置之化学气相沈积(CVD,Chemical Vapor Deposition)设备的喷头，包含一气体供应管；一具有一底板的喷头本体，该喷头本体连接至该气体供应管，该底板具有复数个穿透该底板之第一注入孔与第二注入孔，其中该第一注入孔之入口直径小于该第一注入孔之出口直径，该第二注入孔之入口直径大于该第二注入孔之出口直径，且该第二注入孔与该第一注入孔交替地配置。

主权项

1.一种用以制造半导体装置之CVD设备的喷头,包含: 一气体供应管; 一具有一底板的喷头本体,该喷头本体连接至该气 体供应管,该底板具有复数个穿透该底板之第一注 入孔与第二注入孔,其中 该第一注入孔之入口直径小于该第一注入孔之出 口直径, 该第二注入孔之入口直径大于该第二注入孔之出 口直径,且 该第二注入孔与该第一注入孔交替地配置。 2.如申请专利范围第1项之用以制造半导体装置之 CVD设备的喷头,其中任选四个该第一注入孔作为一 正方形的四个顶点,则该第二注入孔位于该正方形 的中心点。 3.如申请专利范围第1项之用以制造半导体装置之 CVD设备的喷头,其中该第一与第二注入孔为漏斗形 状。 图式简单说明: 图1A及1B为一CVD反应室及一用以制造半导体装置的 喷头的横剖面图; 图2A及2B为依据习知技术之典型喷头的横剖面图; 图3A及3B为依据本发明第一实施例的喷头的横剖面 图;及 图4为依据本发明第二实施例的喷头的横剖面图。