| 主权项 |
1.一种晶舟,适用于一批式处理装置,其中于该晶舟 之一第一端部至一第二端部之间具有复数个晶圆 插槽,且该些晶圆插槽系使配置于其中之复数个晶 圆以该些晶圆的表面互相平行,其中该些晶圆插槽 之间距系由该晶舟之该第一端部沿着垂直该些晶 圆表面的方向朝向该第二端部逐渐增加。 2.如申请专利范围第1项所述之晶舟,其中该晶舟系 由该第一端部朝向该第二端部的方向分为一第一 部分、一第二部分以及一第三部分,且位于该第二 部分之每一该些晶圆插槽之间距彼此相等,并且位 于该第三部分之每一该些晶圆插槽之间距彼此相 等。 3.一种批式处理装置,至少包括: 一晶舟,该晶舟之一第一端部至一第二端部之间具 有复数个晶圆插槽,且该些晶圆插槽系使配置于其 中之复数个晶圆以该些晶圆的表面互相平行;以及 一气体入口,其中该气体入口系由该第一端部朝向 该第二端部提供一气体,以使该气体与该些晶圆反 应, 其中该些晶圆插槽之间距系由该晶舟之该第一端 部朝向该第二端部逐渐增加。 4.如申请专利范围第3项所述之批式处理装置,其中 该晶舟系由该第一端部朝向该第二端部的方向分 为一第一部分、一第二部分以及一第三部分,且位 于该第一部分之每一该些晶圆插槽之间距彼此相 等,并且位于该第二部分之每一该些晶圆插槽之间 距彼此相等,尚且位于该第三部分之每一该些晶圆 插槽之间距彼此相等。 5.如申请专利范围第3项所述之批式处理装置,其中 该批式处理装置包括一垂直式热炉管。 6.如申请专利范围第5项所述之批式处理装置,其中 该晶舟系以该第一端部配置于该垂直式热炉管之 底部,且由该第一端部朝向该第二端部的方向系与 由垂直式热炉管之底部朝向该由垂直式热炉管之 顶部的方向相同。 7.如申请专利范围第5项所述之批式处理装置,其中 该气体入口系设置于该垂直式热炉管之底部,且由 该气体入口流出之气体系由该垂直式热炉管之底 部朝向该垂直式热炉管之顶部流动。 8.如申请专利范围第5项所述之批式处理装置,其中 该晶舟由该垂直式热炉管之底部朝向该垂直式热 炉管之顶部的方向分为一下段部、一中段部以及 一上段部,且位于该下段部之每一该些晶圆插槽之 间距彼此相等,并且位于该中段部之每一该些晶圆 插槽之间距彼此相等,尚且位于该上段部之每一该 些晶圆插槽之间距彼此相等。 9.一种晶圆处理制程,适用于一批式处理装置,其中 该批式处理装置中至少具有: 一晶舟,其中于该晶舟之一第一端部至一第二端部 之间系能够用以配置复数个晶圆,且该些晶圆系以 该些晶圆的表面互相平行;以及 一气体入口,其中该气体入口系由该第一端部朝向 该第二端部提供一气体,以使该气体与该些晶圆反 应; 该晶圆处理制程至少包括: 于该晶舟中配置该些晶圆,其中该些晶圆的配置间 距系由该晶舟之该第一端部朝向该第二端部逐渐 增加;以及 以该批式处理装置对该些晶圆进行处理。 10.如申请专利范围第9项所述之晶圆处理制程,其 中该晶舟之该第一端部至该第二端部之间更包括 复数个晶圆插槽,且该些晶圆系个别配置于该些晶 圆插槽中。 11.如申请专利范围第10项所述之晶圆处理制程,其 中该些晶圆插槽之间距系由该晶舟之该第一端部 朝向该第二端部逐渐增加。 12.如申请专利范围第11项所述之晶圆处理制程,其 中该晶舟系由该第一端部朝向该第二端部的方向 分为一第一部分、一第二部分以及一第三部分,且 位于该第二部分之每一该些晶圆插槽之间距彼此 相等,并且位于该第三部分之每一该些晶圆插槽之 间距彼此相等。 13.如申请专利范围第11项所述之晶圆处理制程,其 中该些晶圆插槽之间距彼此相等,并且该些晶圆的 间距系藉由晶圆间所间隔之晶圆插槽的数目加以 调整。 14.如申请专利范围第13项所述之晶圆处理制程,其 中配置于该第一部分之每一该些晶圆之间距彼此 相等,且配置于该第二部分之每一该些晶圆之间距 彼此相等,并且配置于该第三部分之每一该些晶圆 之间距彼此相等。 15.如申请专利范围第9项所述之晶圆处理制程,其 中该批式处理装置包括一垂直式热炉管。 16.如申请专利范围第15项所述之晶圆处理制程,其 中以该批式处理装置对该些晶圆进行处理的步骤 包括使用该垂直式热炉管对该些晶圆进行化学气 相沈积制程。 17.如申请专利范围第15项所述之晶圆处理制程,其 中以该批式处理装置对该些晶圆进行处理的步骤 包括使用该垂直式热炉管对该些晶圆进行掺杂制 程。 图式简单说明: 第1图是绘示习知之垂直式炉管反应器的剖面图。 第2图是绘示本发明一较佳实施例的一种晶舟剖面 图。 第3图是绘示本发明一较佳实施例的一种批式装置 配置图。 第4图是绘示本发明另一较佳实施例的一种批式装 置配置图。 第5图系绘示利用本实施例以及习知技术进行砷的 掺杂制程时,晶圆中砷的强度与晶圆放置位置的关 系图。 第6图系绘示本实施例以及习知技术中加热装置Z1~ Z5所提供之温度的示意图。 第7图系绘示利用本实施例以及习知技术进行掺杂 多晶矽的沈积制程时,晶圆经过另一热制程后所呈 现出来的电阻値与晶圆放置位置的关系图。 |
