III族氮化物半导体发光元件

摘要

本发明系藉由使用低电阻且具有优越的平坦性之掺Ge的 n型III族氮化物半导体层，即可获得具有低正向电压及优越的发光效率之III族氮化物半导体发光元件。本发明之III族氮化物半导体发光元件，系具有接合于由n型或p型之III族氮化物半导体所构成之结晶层之发光层，其特征为设置经添加镓(Ge)，且电阻率为1×10-1~1×10-3Ωcm之n型III族氮化物半导体层。

主权项

1.一种III族氮化物半导体发光元件,其系具有接合 于由n型或p型之III族氮化物半导体所构成之结晶 层之发光层,其特征为设置经添加镓(Ge)且电阻率 为110-1-110-3cm之n型III族氮化物半导体层,该n型 氮化物半导体层系包括使含有高浓度Ge之III族氮 化物半导体层与含有比该层低浓度的Ge之III族氮 化物半导体层,周期性地交替积层之构造,且含有 高浓度Ge的III族氮化物半导体层之层厚为含有低 浓度Ge的III族氮化物半导体层之层厚以下。 2.如申请专利范围第1项之III族氮化物半导体发光 元件其中n型III族氮化物半导体具有组成式 AlxGayInzNl-aMa(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1,且x+y+z=1;M 系代表与氮(N)不同之第V族元素,0≦a<1)。 3.如申请专利范围第1或2项之III族氮化物半导体发 光元件,其中含有低浓度Ge之III族氮化物半导体层 系为非掺杂(未添加)的III族氮化物半导体层。 4.如申请专利范围第1项之III族氮化物半导体发光 元件,其中经添加Ge之III族氮化物半导体层之Ge原 子浓度为11017cm-3以上、11020cm-3以下。 5.如申请专利范围第1项之III族氮化物半导体发光 元件,其中n型III族氮化物半导体层系配置在基板 与发光层之间。 6.如申请专利范围第1项之III族氮化物半导体发光 元件,其中使Ge原子浓度周期性地变化之区域之全 体层厚为0.1微米以上、10微米以下。 7.如申请专利范围第1项之III族氮化物半导体发光 元件,其中使Ge原子浓度周期性地变化之区域之1周 期份之层厚为1奈米以上、1,000奈米以下。 图式简单说明: 第1图系展示磊晶积层构造体21之剖面结构模式图 。 第2图系展示磊晶积层构造体22之剖面结构模式图 。 第3图系展示磊晶积层构造体23之剖面结构模式图 。 第4图系用以制造LED所需之磊晶积层构造24。 第5图系用以制造LED所需之磊晶积层构造25。