| 发明名称 | 用于在半导体器件中形成接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体器件中形成接触孔的方法，包括：制备包括底结构的基板；形成绝缘层，使得所述绝缘层覆盖所述底结构；在所述绝缘层上形成富硅氧氮化物层；在所述富硅氧氮化物层上形成光阻剂图案；使用所述光阻剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述富硅氧氮化物层，从而获得硬掩模；以及使用所述光阻剂图案和所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以便形成暴露所述底结构的部分的接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN1885502A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200510097524.8 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 黄昌渊;李东德;崔益寿;李洪求 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：制备具有底结构的基板；在所述基板上形成绝缘层，使得所述绝缘层覆盖所述底结构；在所述绝缘层上形成富硅氧氮化物层；在所述富硅氧氮化物层上形成光阻剂图案；使用所述光阻剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述富硅氧氮化物层，以形成硬掩模；以及使用所述光阻剂图案以及所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以形成暴露所述底结构的部分的接触孔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||