发明名称 倍频布置和用于倍频的方法
摘要 本发明涉及一种倍频布置(10),包括具有第一和第二晶体管(T1、T2)的晶体管布置、电压(电流)源、用于取出包括输入信号(V<SUB>in</SUB>)的倍增输出频率谐波的输出信号(V<SUB>out</SUB>)的输出部件以及阻抗部件,其中第一和第二晶体管各具有发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。阻抗部件包括连接到相应晶体管的集电极的第一阻抗部件(3),晶体管反相工作,以及每个晶体管的电流波形是半波形状的,以使晶体管仅导通每个周期的一半,以及在第一阻抗部件(3;3<SUB>1</SUB>;3<SUB>2</SUB>;3<SUB>3</SUB>;3<SUB>4</SUB>;3<SUB>5</SUB>)与晶体管的集电极(c)之间(P)取出输出信号(V<SUB>out</SUB>)。
申请公布号 CN1886888A 申请公布日期 2006.12.27
申请号 CN200380110867.2 申请日期 2003.12.19
申请人 艾利森电话股份有限公司 发明人 H·齐拉特
分类号 H03B19/14(2006.01) 主分类号 H03B19/14(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;陈景峻
主权项 1.一种倍频布置(10;20;30;40;50;60),包括具有第一和第二晶体管(T1、T2;T11、T21;T12、T22;T13、T23;T14、T24)的晶体管布置、电压(电流)源、用于取出包括输入信号(Vin)的倍增输出频率谐波的输出信号(Vout)的输出部件以及阻抗部件,其中所述第一和第二晶体管各具有发射极(e)、基极(b)和集电极(c),其特征在于所述阻抗部件包括连接到相应晶体管的集电极的第一阻抗部件(3;31;32;33;34;35),所述晶体管以反相方式工作,每个晶体管的电流波形是半波形状的,以使所述晶体管仅导通每个周期的一半,以及在所述第一阻抗部件(3;31;32;33;34;35)与所述晶体管的集电极(c)之间(P)取出所述输出信号(Vout)。
地址 瑞典斯德哥尔摩