半导体晶片的快速热处理方法

摘要

本发明提供一种半导体晶片的快速热处理方法。提供RTP反应舱，包括加热源、旋转驱动机制以及冷却系统，用以冷却该RTP反应舱的内壁。将半导体晶片加载RTP反应舱中时，RTP反应舱的内壁由冷却系统降温至第一温度，且半导体晶片的温度低于第一温度，导致附着并累积在RTP反应舱的较热内壁上的微粒污染物有朝向刚载入RTP反应舱中的半导体晶片的较冷表面移动扩散的倾向。接着，以加热源快速预热该半导体晶片至第二温度，其中第二温度高于该第一温度，藉此消除微粒污染物扩散倾向。当半导体晶片的温度到达第二温度时，启动旋转驱动机制，进行半导体晶片的旋转，同时间亦持续将半导体晶片的温度拉升至第三温度。

主权项

1、一种半导体晶片的快速热处理方法，包括：提供一快速热处理反应舱，其包括有至少一加热源、一旋转驱动机制，用以转动半导体晶片，以及一冷却系统，用以冷却该快速热处理反应舱的内壁；将一半导体晶片加载该快速热处理反应舱中，此时该快速热处理反应舱的内壁由该冷却系统降温至第一温度；以该加热源快速预热该半导体晶片至一第二温度，其中该第二温度高于该第一温度；以及当该半导体晶片的温度到达该第二温度时，开始启动该旋转驱动机制，进行该半导体晶片的旋转，且同时间亦持续将该半导体晶片的温度拉升至第三温度。