发明名称 |
一种微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种微流芯片,包括合成沟道和两个流聚焦成球沟道,两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇,每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成,所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧,预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口,连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇。本发明还提供了利用上述微流芯片制备聚合物微球的方法:将两种连续相从两个流聚焦沟道的连续相沟道的输入口注入,将分散相分别从两个流聚焦沟道的分散相沟道注入,即从合成沟道出口得到聚合物微球。本发明可精确制作大小一致可控的聚合物微球。 |
申请公布号 |
CN1884514A |
申请公布日期 |
2006.12.27 |
申请号 |
CN200610019354.6 |
申请日期 |
2006.06.14 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
赵兴中;刘侃 |
分类号 |
C12N11/08(2006.01);A61K9/16(2006.01) |
主分类号 |
C12N11/08(2006.01) |
代理机构 |
武汉天力专利事务所 |
代理人 |
程祥;冯卫平 |
主权项 |
1.一种微流芯片,包括连续相沟道和分散相沟道,其特征是:设有一个合成沟道和两个流聚焦成球沟道,两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇,每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成,所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧,预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口,连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇,分散相沟道的直径为30-500微米,连续相沟道的直径为30-500微米,预聚物微球沟道的输入口直径为30-200微米。 |
地址 |
430072湖北省武汉市武昌珞珈山 |