发明名称 一种微流芯片及利用微流芯片制备聚合物微球的方法
摘要 本发明涉及一种微流芯片,包括合成沟道和两个流聚焦成球沟道,两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇,每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成,所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧,预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口,连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇。本发明还提供了利用上述微流芯片制备聚合物微球的方法:将两种连续相从两个流聚焦沟道的连续相沟道的输入口注入,将分散相分别从两个流聚焦沟道的分散相沟道注入,即从合成沟道出口得到聚合物微球。本发明可精确制作大小一致可控的聚合物微球。
申请公布号 CN1884514A 申请公布日期 2006.12.27
申请号 CN200610019354.6 申请日期 2006.06.14
申请人 武汉大学 发明人 赵兴中;刘侃
分类号 C12N11/08(2006.01);A61K9/16(2006.01) 主分类号 C12N11/08(2006.01)
代理机构 武汉天力专利事务所 代理人 程祥;冯卫平
主权项 1.一种微流芯片,包括连续相沟道和分散相沟道,其特征是:设有一个合成沟道和两个流聚焦成球沟道,两个流聚焦成球沟道的出口在合成沟道的进口相交汇,每个流聚焦成球沟道由预聚物微球沟道、分散相沟道和两个连续相沟道构成,所述两个连续相沟道分布在分散相沟道两侧,预聚物微球沟道、连续相沟道和分散相沟道均具有输入口和出口,连续相沟道和分散相沟道的出口在预聚物微球沟道的输入口相交汇,分散相沟道的直径为30-500微米,连续相沟道的直径为30-500微米,预聚物微球沟道的输入口直径为30-200微米。
地址 430072湖北省武汉市武昌珞珈山