发明名称 场发射装置的电泳沉积方法
摘要 本发明提供一种场发射装置的电泳沉积方法,利用适当安排施加电压于具有栅极的三极结构,来改善传统电泳沉积方法的选择性。在栅极周围的电场排斥在电泳槽中带电荷或极化的纳米悬浮液,可避免带电荷或极化的纳米材料沉积在栅极上。因此,纳米材料可选择性地沉积在阴极。可避免阴极与栅极之间的电路短路。本发明的电泳沉积方法不需要一层遮蔽牺牲层,因此制造工艺简单且使成本降低。
申请公布号 CN1885475A 申请公布日期 2006.12.27
申请号 CN200510079095.1 申请日期 2005.06.24
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 张悠扬;詹立雄;何宽鑫
分类号 H01J9/02(2006.01);C25D13/00(2006.01) 主分类号 H01J9/02(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 张龙哺;郑特强
主权项 1.一种场发射装置的电泳沉积方法,包含下列步骤:(a)准备一含有纳米结构悬浮液的电泳槽;(b)准备一具有三极结构的场发射阴极板,该三极结构包含栅极,其中该场发射阴极板作为一阴极板且包含一基板、多个在该基板上的阴极、一形成在该基板与该阴极上的介电层、和多个形成在该介电层与该基板上的栅极;(c)将一阳极板与该场发射阴极板沉入该电泳槽;以及(d)将由一个或多个电源供应器提供的二个不同的偏压,分别施加至该栅极与该阴极一段时间,以选择性地使纳米结构材料沉积在该阴极的表面,该表面通过该介电层的栅孔暴露于外,其中该阳极板电路连接至该电源供应器的一共同端。
地址 中国台湾新竹县