闸极结构及其制备方法

摘要

本发明之闸极结构包含一设置于一半导体基板上之闸氧化层、一设置于该闸氧化层上之导电堆叠结构、一设置于该导电堆叠结构上之顶盖层以及一设置于该导电堆叠结构侧壁之保护层。该导电堆叠结构包含一设置于该闸氧化层上之第一含矽层层、一设置于该第一含矽层上之氮化钨层、一设置于该氮化钨层上之钨层以及一设置于该氮化钨层及该钨层侧壁之矽化钨层。特而言之，该第一含矽层侧壁之保护层的厚度大于该钨层侧壁之保护层的厚度，其中该保护层之材质可为氧化矽、氮化矽或氮氧化矽。