| 发明名称 | 金属镶嵌的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种金属镶嵌的制造方法，此制造方法先于一基础层上方依序沉积一蚀刻终止层与一介电层；然后于该介电层上方沉积一有机抗反射层；于该有机抗反射层、该介电层与该蚀刻终止层中形成一开孔；在一化学气相沉积机台中加热移除该有机反射层；在该化学气相沉积机台中，沉积一碳化硅层在该介电层表面与该开孔侧边及底部上；最后于该开孔中形成一金属层。本发明的碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，从而降低漏电流，并能提高与半导体组件可靠度相关的时依性介电崩溃时间与改善偏压温度冲击性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1290173C | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200310103699.6 | 申请日期 | 2003.10.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴振诚;卢永诚;陈盈淙;章勋明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑特强 |
| 主权项 | 1.一种金属镶嵌的制造方法，该制造方法至少包括下列步骤：于一基础层上方依序沉积一蚀刻终止层与一介电层；于该介电层上方沉积一有机抗反射层；于该有机抗反射层、该介电层与该蚀刻终止层中形成一开孔；其特征在于：该方法还包括以下步骤：在一化学气相沉积机台中加热移除该有机反射层；在该化学气相沉积机台中，沉积一碳化硅层在该介电层表面与该开孔侧边及底部上；以及于该开孔中形成一金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||