| 主权项 |
1.一种高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,包含:提供一基板;形成一复晶矽薄膜电晶体于该基板之上;形成一绝缘层覆盖该薄膜电晶体;蚀刻该绝缘层以形成复数之接触窗;以及在履盖一阻水氧层于该复数之接触窗之后,对该薄膜电晶体进行一高压水气退火制程。2.如申请专利范围第1项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中形成该复晶矽薄膜电晶体的方法包含:形成一复晶矽于该基板上;形成一闸极绝缘层于该复晶矽层上;形成一闸极于该闸极绝缘层上;以及对该半导体层进行掺杂制程,以形成一源极、一汲极及一通道区。3.如申请专利范围第1项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该复晶矽薄膜电晶体具有一源极、一汲极、及一闸极,且该复数之接触窗系分别露出该闸极、源极及汲极。4.如申请专利范围第3项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该闸极之材质系为Ta、Cr、Mo、W、Al、AlNd、Ti、ITO、MoW合金、或重掺杂多晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该高压水气退火制程之温度系介于250℃至600℃的范围内。6.如申请专利范围第1项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该高压水气退火制程具有一水蒸气压力介于0.1MPa至10Mpa的范围内。7.如申请专利范围第1项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该阻水氧层是氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。8一种高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,包含:提供一基板;形成一复晶矽薄膜电晶体于该基板之上,其中该复晶矽薄膜电晶体具有一源极、一汲极、及一闸极,而该闸极之材质系为Al、Ti、ITO、Cr或重掺杂多晶矽;形成一绝缘层覆盖该薄膜电晶体;蚀刻该绝缘层以形成复数之接触窗;以及在形成该薄膜电晶体之后,对该复晶矽薄膜电晶体进行一高压水气退火制程。9.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中形成该复晶矽薄膜电晶体的方法包含:形成一复晶矽层于该基板上;形成一闸极绝缘层于该复晶矽层上;形成一闸极于该闸极绝缘层上;以及对该半导体层进行掺杂制程,以形成一源极、一汲极及一通道区。10.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该复数之接触窗系分别露出该闸极、源极及汲极。11.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中系在形成一绝缘层覆盖该复晶矽薄膜电晶体之步骤前,对该复晶矽薄膜电晶体进行一高压水气退火制程。12.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中系在形成一绝缘层覆盖该复晶矽薄膜电晶体之步骤后,对该复晶矽薄膜电晶体进行一高压水气退火制程。13.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中系在形成复数之接触窗之步骤前,对该复晶矽薄膜电晶体进行一高压水气退火制程。14.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中系在形成复数之接触窗之步骤后,对该复晶矽薄膜电晶体进行一高压水气退火制程。15.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该高压水气退火制程之温度系介于250℃至600℃的范围内。16.如申请专利范围第8项所述之高压水气退火之复晶矽薄膜电晶体元件之制作方法,其中该高压水气退火制程具有一水蒸气压力介于0.1MPa至10Mpa的范围内。图式简单说明:第1图系显示一习知高压水气退火多晶矽薄膜电晶体制程之剖面示意图。第2a图至第2g图系显示本发明一较佳实施例所述之高压水气退火多晶矽薄膜电晶体制造流程。第3图至第5图系显示本发明其他较佳实施例所述之高压水气退火多晶矽薄膜电晶体制程示意图。 |
