| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:一基材;在该基材上的一闸极;邻接该闸极的一侧壁之一间隔物,该间隔物包含:一尖式接面间隔层;以及一源极/汲极间隔层;在该基材中而与该间隔物邻接的一源极/汲极区;以及位于该源极/汲极区与该闸极之间的一步阶尖式接面区,该步阶尖式接面区至少具有一第一步阶及一第二步阶。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该尖式接面间隔层具有一宽度,且该第一步阶具有大约等于该尖式接面间隔层的该宽度之一宽度。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该尖式接面间隔层具有小于大约20奈米的一宽度。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该间隔物进一步包含位于该尖式接面间隔层与该源极/汲极间隔层之间的一第二尖式接面间隔层;以及该步阶尖式接面区具有一第三步阶。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该尖式接面间隔层包含氮化物及氧化物的至少其中之一。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第二步阶至少自该第一步阶延伸到该源极/汲极间隔层的一外缘。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第一步阶具有在该基材的一上表面之下的一第一深度,且该第二步阶具有在该基材的该上表面之下的一第二深度,该第二深度至少为该第一深度的大约两倍。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该源极/汲极间隔层具有一宽度,且该尖式接面间隔层具有该源极/汲极间隔层的该宽度的大约一半或更小之一宽度。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包含:一微电子晶粒,该微电子晶粒包含该基材、闸极、间隔物、及步阶尖式接面区;被连接到该微电子晶粒之一结构支承;在电性上被耦合到该微电子晶粒之记忆体;以及在电性上被耦合到该微电子晶粒之一大量储存单元。10.一种半导体装置,包含:一基材;在该基材上的一闸极;邻接该闸极的一侧壁之一间隔物,该间隔物包含:一尖式接面间隔层;以及一源极/汲极间隔层;具有一深度之一源极/汲极区;以及一尖式接面区,该尖式接面区设有:具有小于该源极/汲极区的该深度的一第一深度且延伸到比该源极/汲极区更接近该闸极之处的一第一部分、以及具有小于该第一深度的一第二深度且延伸到比该第一部分更接近该闸极之处的一第二部分。11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该尖式接面区至少部分在该间隔物之下。12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该尖式接面间隔层具有一宽度,且该尖式接面区的该第二部分延伸到延伸到比该第一部分更接近该闸极大约等于该尖式接面间隔层的该宽度之一距离。13.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中:该间隔物进一步包含一第二尖式接面间隔层;以及该尖式接面区进一步具有一第三部分,该第三部分具有大于该第一深度但小于该源极/汲极区的该深度之一第三深度,且该第三部分延伸到比该源极/汲极区更接近该闸极之处,但并未延伸到如同该第一部分这样接近该闸极之处。14.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该尖式接面区的该第一部分之该第一深度至少为该尖式接面区的该第二部分的该第二深度之大约两倍。15.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该源极/汲极间隔层具有一宽度,且该尖式接面间隔层具有该源极/汲极间隔层的该宽度的大约一半或更小之一宽度。16.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该基材、闸极、间隔物、源极/汲极区、及步阶尖式接面区是一电晶体的一部分,且该装置进一步包含:一微电子晶粒;被连接到该微电子晶粒之一结构支承;在电性上被耦合到该微电子晶粒之记忆体;以及其中该电晶体是该微电子晶粒或该记忆体的一组成部分。17.一种制造半导体装置之方法,包含下列步骤:在一基材上形成一闸极层,该闸极层具有一侧壁;形成一第一尖式接面区,该第一尖式接面区具有在该基材的一上表面之下的一第一深度、以及邻接该闸极层的该侧壁之一内垂直边界;在该闸极层的该侧壁上形成一第一尖式接面间隔层;形成一第二尖式接面区,该第二尖式接面区具有在该基材的该上表面之下的一第二深度,该第二深度大于该第一深度,该第二尖式接面区具有比该第一尖式接面区的该内垂直边界自该闸极层的该侧壁算起的距离大的一距离之一内垂直边界;在该第一尖式接面间隔层上形成一源极/汲极间隔层;以及形成一源极/汲极区,该源极/汲极区具有在该基材的该上表面之下的一第三深度,该第三深度大于该第二深度,该源极/汲极区具有比该第二尖式接面区的该内垂直边界自该闸极层的该侧壁算起的距离大的一距离之一内垂直边界。18.如申请专利范围第17项之方法,其中系在形成该第一尖式接面间隔层之后,且不去除该第一尖式接面间隔层的情形下,形成该第二尖式接面区。19.如申请专利范围第17项之方法,其中该尖式接面间隔层具有一宽度,且该第二尖式接面区的该内垂直边界比该第一尖式接面区的该内垂直边界更远离该闸极大约等于该尖式接面间隔层的该宽度之一距离。图式简单说明:图1是是根据本发明的一实施例的一金属氧化物半导体(MOS)电晶体之一横断面侧视图。图2是图1所示电晶体的一部分之一较接近图。图3是制造一电晶体的一方法之一流程图。图4是在基材上形成的闸极之一横断面侧视图。图5是示出形成第一植入尖式接面区之一横断面侧视图。图6是示出在基材及闸极上形成的尖式接面间隔层之一横断面侧视图。图7是示出形成第二植入尖式接面区之一横断面侧视图。图8是示出在尖式接面间隔层上形成的源极/汲极间隔层之一横断面侧视图。图9是示出形成源极/汲极区之一横断面侧视图。图10是具有其中包含两个以上的步阶的一尖式接面区的一电晶体的之一横断面接近图。图11是根据本发明的一实施例的一电脑系统之一示意图。 |
