| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其在半导体基板的主面形成成为PIN光电二极管(PIN－PD)的i层的高电阻率的外延层(82)。在外延层(82)的表面形成沟槽(68、70)，在沟槽(68)的表面形成成为PIN－PD的阴极区域(64)的n<SUP>+</SUP>区域，在沟槽(70)的表面形成成为阳极区域(66)的p<SUP>+</SUP>区域。若使阴极区域(64)和阳极区域(66)为反向偏置，则作为阴极区域(64)和阳极区域(66)之间的i层的受光半导体区域(72)被耗尽化。该耗尽层扩展到半导体基板表面。因此，对于吸收长短的蓝色光，可使其在半导体基板表面生成信号电荷而将该电荷收集到阴极区域(64)而作为受光信号取出。 | ||
| 申请公布号 | CN1874008A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610084804.X | 申请日期 | 2006.05.19 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 长谷川昭博 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01);H01L27/144(2006.01) | 主分类号 | H01L31/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其中具有：低杂质浓度的受光半导体区域，其设置于半导体基板的主面，并接收信号光；阳极区域和阴极区域，其形成于所述主面，相互之间配有所述受光半导体区域，所述阳极区域，是被施加第1电压，并杂质浓度比所述受光半导体区域的还高的第1导电型半导体区域；所述阴极区域，是被施加第2电压，并杂质浓度比所述受光半导体区的还高的第2导电型半导体区域；所述阳极区域和所述阴极区域，通过所述第1电压及所述第2电压而被设为反向偏置状态，在所述受光半导体区域中形成耗尽层。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 | ||