与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的高压互补金属氧化物半导体双栅氧制备工艺

摘要

本发明是与标准互补金属氧化物半导体(Complementary Metal－Oxide－Semiconductor，CMOS)工艺兼容的高压CMOS(High Voltage CMOS，HVCMOS)双栅氧制备工艺，采用干－湿法相结合的厚栅氧刻蚀方法，并在一次多晶硅栅刻蚀后加做一次侧墙缓和一次多晶硅栅的台阶高度。本发明在与标准CMOS工艺相兼容的高压CMOS集成技术中可以显著提高器件及电路性能，并具有工艺简单，成本低等优点。

主权项

1.一种与标准CMOS工艺兼容的HVCMOS双栅氧制备工艺，其特征在于：(1)厚栅氧采用干-湿结合的刻蚀方法，利用多晶硅栅自对准刻蚀厚栅氧，有效地避免栅电极和栅氧的错位，并采用定时刻蚀厚栅氧的方法，不刻到底，减小了干法刻到底对于硅片表面的损伤，同时又可以作为高压P管轻掺杂漏注入的掩蔽层；(2)高压P管轻掺杂漏注入以后，接着加淀一层正硅酸乙酯并反刻形成一次侧墙，有效缓和了一次多晶硅栅与薄栅氧区的台阶高度，有利于后续二次多晶的刻蚀；(3)一次侧墙采取定时刻蚀不刻到底的方法，预留的正硅酸乙酯作为高压P管源漏注入的掩蔽层，然后用氢氟酸把剩下的氧化层漂净，由于有侧墙作为保护，湿法腐蚀的横向钻蚀不会影响到器件的栅氧，只会使侧墙的厚度稍有减薄，这样会起到保护硅表面的作用。