| 发明名称 | 形成方法以及包含钌和包含钨层的集成电路结构 | ||
| 摘要 | 具有增加电容的电容器，包括一个增强表面面积(粗糙表面的)导电层或与高电介质常数材料兼容的其他的层。在一种方法中，形成对于该电容器的一个增强表面面积的导电层，通过在500℃以上的高温和75托或以下的低压来处理一个钌氧化物层，最好在5托或以下，以产生具有织纹表面的粗糙的钌层，其具有至少大约100埃的平均特性尺寸。通过化学汽相沉积技术或溅射技术等等可以提供初始钌氧化物层，可以在一个下导电层的上方形成层。该处理可以在一个惰性环境中或在一个还原环境中执行。整个处理过程中或之后可以使用一个氮提供环境或者氮提供还原环境来钝化钌以便提高与高电介质常数电介质材料的兼容性。也可以执行一个氧化环境中的处理以钝化粗糙的层。 | ||
| 申请公布号 | CN1873917A | 申请公布日期 | 2006.12.06 |
| 申请号 | CN200610092516.9 | 申请日期 | 2001.06.07 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 维什努·K·阿加瓦尔;加罗·戴德里安;居尔吉·S·桑德赫;李卫民;马克·维索凯;杰姆·巴斯卡里;萨姆·扬 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 夏凯;钟强 |
| 主权项 | 1.一种形成电容器的方法，该方法包括：形成包含钨氮化物的第一导电层；在第一导电层上形成电介质材料层；和在电介质材料层上形成第二导电层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||