发明名称 | 包括具有提高的线性和可制造性的FET的BiFET | ||
摘要 | 根据一个示例性实施例,一种位于衬底上的BiFET,包括位于所述衬底上方的发射极层部分,其中所述发射极层部分包括第一类型的半导体。所述HBT还包括蚀刻停止层的第一部分,其中所述蚀刻停止层的所述第一部分包括InGaP。所述BiFET还包括位于所述衬底上方的FET,其中所述FET包括源极和漏极区域,其中所述蚀刻停止层的第二部分位于所述源极和漏极区域之下,以及其中所述蚀刻停止层的所述第二部分包括InGaP。所述FET还包括第二类型的半导体层,其位于所述蚀刻停止层的所述第二部分之下。所述蚀刻停止层提高了所述FET的线性,且没有降低所述HBT中的电子电流。 | ||
申请公布号 | CN1871712A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
申请号 | CN200480031215.4 | 申请日期 | 2004.10.04 |
申请人 | 斯盖沃克斯瑟路申斯公司 | 发明人 | P·J·赞帕尔迪;R·N·皮尔森 |
分类号 | H01L31/0328(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0328(2006.01) |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
主权项 | 1.一种位于衬底上的BiFET,所述BiFET包括:HBT,位于所述衬底上方,所述HBT包括:发射极层部分,位于所述衬底上方,所述发射极层部分包括第一类型的半导体;蚀刻停止层的第一部分,位于所述发射极层部分上方,所述蚀刻停止层的所述第一部分包括InGaP;FET,位于所述衬底上方,所述FET包括:源极和漏极区域,所述蚀刻停止层的第二部分位于所述源极和漏极区域之下,所述蚀刻停止层的所述第二部分包括InGaP;第二类型的半导体层,位于所述FET中所述蚀刻停止层的所述第二部分之下;其中所述蚀刻停止层提高了所述FET的线性,以及其中所述蚀刻停止层没有降低所述HBT中的电子电流。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |